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IXTU05N100
IXTY05N100
1.6
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
0.9
Fig. 2. Output Characteristics
@ 125oC
1.4
V GS = 10V
8V
0.8
V GS = 10V
7V
6V
1.2
1.0
7V
0.7
0.6
5.5V
0.8
6V
0.5
0.4
0.6
0.4
5.5V
0.3
0.2
5V
0.2
0.0
5V
0.1
0.0
4.5V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
3.0
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(on) Normalized to I D = 375mA
Value vs. Junction Temperature
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 375mA
Value vs. Drain Current
2.8
2.6
V GS = 10V
2.4
V GS = 10V
T J = 125oC
2.4
2.2
2.0
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 750mA
I D = 375mA
1.8
1.6
1.4
1.0
0.8
0.6
0.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.8
0.7
0.6
0.5
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
I D - Amperes
Fig. 6. Input Admittance
0.6
0.4
0.5
T J = 125oC
0.3
0.2
0.1
0.0
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
25oC
- 40oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
T C - Degrees Centigrade
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
V GS - Volts
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RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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